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netsol  4Mb低功耗SRAM存储器S6L4008W1M

新型存储之MRAM资讯

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发表时间:2022-10-05 23:17作者:全球芯 | glochip.com来源:Netsol | MRAM | SRAM网址:http://glochip.com/news/

Netsol是一家位于韩国的无厂内存半导体设计公司,目前的产品有异步快速SRAM、低功耗SRAM、四重/DDR SRAM 和 SLC NAND Flash。主要客户群是工业、商业和通信,以高速、低延迟和低功耗内存设计技术而闻名。
netsol器件采用6-TR单元先进的CMOS工艺技术制造,专为低功率电路技术而设计,S6L4008W1M SRAM是一款容量为4Mb的高速SRAM,位宽8*512K。适用于低数据保持电流的电池备份应用。
S6L4008W1M快速访问时间为45、55、最大70ns,待机电流2A,最大10A。宽范围或单5.0V电源,具备完全静态操作和三态输出,无需时钟或刷新,可在商业和工业温度范围内工作。封装采用32SOP、32sTSOP1和32TSOP2。欢迎垂询代理RAMSUM.
low power sram低功耗SRAM存储器是作为静态随机访问存储器的一种类别,SRAM作为最重要的半导体存储器,广泛地嵌入于高性能微处理器。应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品。

netsol 4Mb








4M bit

256Kx16

S6L4016W1M

2.3~3.6v

1C/S

45/55/70ns

44TSOP2 48 FBGA

4M bit

256Kx16

S6L4016W2M

2.3~3.6v

2C/S

45/55/70ns

44TSOP2 48 FBGA

4M bit

256Kx16

S6L4016C1M

5V

1C/S

45/55/70ns

44TSOP2 48 FBGA

4M bit

256Kx16

S6L4016C2M

5V

2C/S

45/55/70ns

44TSOP2 48 FBGA

4M bit

512Kx8

S6L4008W1M

2.3~3.6v

1C/S

45/55/70ns

32 sTSOP1

4M bit

512Kx8

S6L4008W2M

2.3~3.6v

2C/S

45/55/70ns

32 sTSOP1

4M bit

512Kx8

S6L4008C1M

2.7~3.6V

1C/S

45/55/70ns

32 sTSOP1

4M bit

512Kx8

S6L4008C2M

5V

1C/S

45/55/70ns

32 sTSOP1


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