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STM32F103ZET6外部 SRAM

新型存储之MRAM资讯

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发表时间:2022-12-01 09:12作者:全球芯 | glochip.com来源:Netsol | MRAM | SRAM网址:http://glochip.com/news/

STM32 外部 SRAM

STM32F103ZET6 自带了 64K 字节的 SRAM,对一般应用来说,已经足够了,不过在一些对内存要求高的场合,STM32 自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑 GUI 等,就可能不太够用

IS62WV51216 简介

IS62WV51216 ISSIIntegrated   Silicon   Solution,   Inc)公司生产的一颗 16 位宽 512K512*16,即 1M 字节)容量的 CMOS 静态内存芯片。该芯片具有如下几个特点:

l 高速。具有 45ns/55ns 访问速度。

l 低功耗。

l TTL 电平兼容。

l 全静态操作。不需要刷新和时钟电路。

l 三态输出。

l 字节控制功能。支持高/低字节控制。

看看实现 IS62WV51216 的访问,需要对 FSMC进行哪些配置。 这里就做一个概括性的讲解。步骤如下:

1使能 FSMC 时钟,并配置 FSMC 相关的 IO 及其时钟使能

要使用 FSMC,当然首先得开启其时钟。然后需要把 FSMC_D0~15FSMCA0~18 等相关IO 口,全部配置为复用输出,并使能各 IO 组的时钟。

使能 FSMC 时钟的方法:

RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);

对于其他 IO 口设置的方法前面讲解很详细,这里不做过多的讲解。

2设置 FSMC BANK1 区域 3

此部分包括设置区域 3 的存储器的工作模式、位宽和读写时序等。我们使用模式 A16 位宽,读写共用一个时序寄存器。使用的函数是:

void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)

3使能 BANK1 区域 3

使能 BANK 的方法跟前面 LCD 实验也是一样的,这里也不做详细讲解,函数是:

void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState)

通过以上几个步骤,我们就完成了 FSMC 的配置,可以访问 IS62WV51216 了,这里还需要注意,因为我们使用的是 BANK1 的区域 3,所以 HADDR[27:26]=10,故外部内存的首地址为 0X68000000


文章分类: SRAM
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