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异步SRAM的信号

新型存储之MRAM资讯

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发表时间:2022-12-01 09:14作者:全球芯 | glochip.com来源:Netsol | MRAM | SRAM网址:http://glochip.com/news/
文章附图

异步SRAM是128K×8位结构的1M位SRAM,我们以CY62l28为例进行说明。引脚配置如图所示,这是非常标准的配置,在其他生产商的许多产品中都能见到这种配置。在自制的SRAM主板上就使用了现成的ISSI引脚兼容产品。

  图 CY62128的引脚配置

  异步SRAM的各个引脚所表示的意思如下所述。各个控制输人与操作状态的关系如表所示。

  表 SRAM的控制输入与操作

  1.   A0~A16(地址)

  用于指定希望访问的地址。由于是以128K×8位的结构作为对象的,所以地址线具有17根。SRAM不是通过特殊的存储器写人器写入的,而且对于地址也没有类似DRAM的刷新功能那样的操作。因此,虽然可以更换地址,例如将CPU到SRAM的A16那样没有什么问题,但一般是将A0作为位来使用的。

  2.   I/O0~I/O7(数据)

  这是数据输入输出引脚,可双向使用。与地址引脚的更换相同,虽然可以更换数据引脚来使用,但一般将I/O0作为位、将I/O7作为位使用。

  3.   CE1、CE2(Chip Enable,芯片使能)

  这是器件的选择信号,虽然存在CE1和CE2两个信号,但它们是以AND条件选择的。也就是说,只有当CE1为低电平且CE2为高电平时,器件才处于选择状态。如果不在选择状态,则其他输人引脚的状态将全部被忽略。存在极性不同的Chip Enable信号是为了处理方便。例如,电池各份时,因为主电源本身下降,与主电源连接的电路中就不能形成高电平,但是通过简单的下拉电阻,可以相对简单地保持低电平。

  需要注意的是,在以相同引脚排列形式、且CE2引脚处于高位的4M位容量的CY62148中,因为CE2引脚被作为地址引脚使用了,因而Chip Enable就只能利用CE1。

  如果将SRAM置于低功耗的待机状态,则需要注意¤可及CE2的电压。与在CMOS电平的使用时相比,在使用TTL电平输人(高电平为2.4伏;低电平为0.8伏)时,损耗电流变得相当的大。例如,对于CY62128-55来讲,如果是CMOS电平,则典型值为0.4μ,雨TTL电平就为25mA,相差一个数量级。因此,进行普通的电池备份时,将CE1/CE2设计在CMOS栅极进行驱动,以便确保其为高电平。

  4.   OE(Output Enable,输出使能)

  这是打开SRAM数据输出缓冲器的信号。读操作时,利用片选后的状态(CE1=低电平;CE2=高电平)指定地址,如果OE为低电平,则在I/O引脚上将出现存储器的内容,但必须事先将WE设为高电平。

  5.   WE(Write Enable。写使能)

  这是向SRAM写人的信号。在WE上升时刻,数据被写入到存储器中。当WE和瓦双方都为低电平时,WE优先进行操作。也就是说,在OE为低电平、保持向I/O引脚输出数据的状态中,如果将WE设为低电平,I/O引脚将转换为输人模式。


文章分类: SRAM
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