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SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4介绍及区别

新型存储之MRAM资讯

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发表时间:2022-12-01 09:30作者:全球芯 | glochip.com来源:Netsol | MRAM | SRAM网址:http://glochip.com/news/

SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4介绍及区别

SRAM:静态随机访问存储器

一个SRAM存储单元由4个晶体管和2个电阻器组成,利用晶体管的状态切换来存储数据,而不是电容器,因此读数据时不存在漏电问题,不需要刷新操作。但是由于SRAM需要的晶体管数多,因此成本高。

DRAM:动态随机访问存储器

一个DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成,利用电容量存储电量的多少来存储数据,由于电容器存在漏电问题,因此需要定期刷新。读数据时,电容量的电量会消失,因此每次访问之后,也需要刷新,以防止数据丢失。

SDRAM:同步动态随机访问存储器

同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。传统的DRAM在两个读周期之间需要等待一段时间,用于充电操作。而SDRAM一个模组有两个bank,在对一个bank充电时,可以操作另一个bank,实现流水线。

SDRAM的发展已经经历了五代:分别是SDR SDRAM、 DDR SDRAM、 DDR2 SDRAM、 DDR3 SDRAM、 DDR4 SDRAM。

DDR3:

2005年制造出DDR3的原型产品。2007年,市场开始使用DDR3内存芯片。

与DDR2相比,DDR3采用8bit预取,因此提供更高的传输速率(2133MT/s);更低的工作电压(1.5V,DDR2工作电压为1.8V),另外采用了不同的封装工艺,因此能耗更低。

延迟周期同样比DDR2增长,引脚数增加。

DDR4:

2011年,samsung宣布生产出第一个DDR4内存模块。2012年,samsung、Micron等开始量产DDR4 SDRAM芯片。

与DDR3相比,DDR4提供更高的时钟频率和传输速率(4166MT/s);更低的工作电压(1.05~1.2V),因此能耗更低。


文章分类: SRAM
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